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Vishay Siliconix SISS5710DN-T1-GE3
| Artikelnummer: | SISS5710DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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| 10+ | $1.533 |
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Vishay Siliconix SISS5710DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SISS5710DN-T1-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8S Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 31.5mOhm @ 10A, 10V Verlustleistung (max) 4.1W (Ta), 54.3W (Tc) Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8S Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.2A (Ta), 26.2A (Tc) -
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